Нaкoпитeль eUFS oбъeмoм 1 ТБ создан на основе флеш-памяти V-NAND.

Для комфортной работы и мобильных развлечений владельцам гаджетов необходимо все больше памяти, поэтому производители смартфонов не очень спешат отказываться от слотов microSD-карт. Однако инженеры Samsung решили пойти дальше и анонсировали первый в мире встроенный накопитель на 1 ТБ.

Об этом пишет Хроника.инфо со ссылкой на 24tv.ua.

Накопитель eUFS объемом 1 ТБ создан на основе флеш-памяти V-NAND пятого поколения и способен работать с данными в десять раз быстрее microSD-аналогов. Скорость последовательного чтения достигает 1000 МБ / с (вдвое быстрее современных SATA SSD), записи –до 260 МБ / с, сообщает 4PDA.

Габариты новинки (11,5×13,0 миллиметра) позволяют разместить модуль даже в тонком корпусе смартфона. На скоростных характеристиках это не сказалось – запись видеофайла объемом 5 ГБ отнимет у владельца устройства всего пять секунд.

EUFS-накопители емкостью 1 ТБ сыграют решающую роль для мобильных устройств следующего поколения. Samsung стремится обеспечить надежную цепочку поставок и адекватные объемы производства для обеспечения такой памятью все будущие флагманские смартфоны,– отметил исполнительный вице-президент по продажам и продвижению памяти в Samsung Electronics Чол Чой.

Согласно пресс-релизу компании, массовое производство уже началось, и совсем скоро владельцы планшетов, смартфонов и других девайсов смогут избавиться от необходимости использовать дополнительные карты памяти.

Читайте также: Samsung анонсировала новый планшет

Цена модулей eUFS и дата поступления в продажу первых устройств на их основе будут объявлены позже.

Если вы нашли ошибку в тексте, выделите её мышью и нажмите Ctrl+Enter